NEC представила 32 Мбит MRAM для встраивания в SoC

Компании NEC и NEC Electronics заявили об успешной демонстрации работающей памяти магниторезистивного типа (Magnetic Random Access Memory, MRAM) емкостью 32 Мбит, которая может быть использована для встраивания в решениях класса «система-на-чипе» (SoC) и в других микросхемах. Хотя разработки MRAM ведутся многими компаниями, создание быстродействующих схем с большой емкостью по-прежнему остается нетривиальной задачей, в основном из-за относительно немалых размеров ячеек. Инженеры из NEC добились успеха, сократив площадь, занимаемую управляющими структурами. В результате удалось 73% площади подложки задействовать под размещение ячеек памяти.

Помимо этого, за счет внедрения новых, оптимизированных схем декодирования проектировщики добились сокращения времени цикла перезаписи до 9 нс. Наконец, была обеспечена совместимость с форматами асинхронной памяти SRAM за счет внедрения схем трансформации протокола между MRAM и цепями буферов ввода-вывода. Разработчики выразили мнение, что применение встраиваемой энергонезависимой памяти внесет заметный вклад в технологии снижения уровня потребляемой микросхемами мощности.